Phase Change Random Access Memory

Phase Change Random Access Memory, czyli w skrócie PCRAM lub PRAM jest to nowoczesny rodzaj pamięci nieulotnej, która jest zarówno zapisywana, jak i odczytywana elektrycznie. Główna zasada działania PCRAM polega na zmianie oporu elektrycznego w materiale, z którego zbudowany jest nośnik, fazy jego punktów mogą być amorficzne (wysoka rezystancja) lub krystaliczne (niska rezystancja), w zależności od podawanego impulsu elektrycznego. Materiały, w których dokonuje się zmiana fazy, są stosowane od lat w optycznych nośnikach wielokrotnego zapisu (na przykład CD/DVD-RW, Blu-ray). W przypadku płyt CD opór jest ustalany przy pomocy wiązki promieni lasera, która w zależności od temperatury materiału znajdującego się w nośniku prowadzi do stanu krystalicznego lub amorficznego.

Shares

Dodaj komentarz

Twój adres email nie zostanie opublikowany. Wymagane pola są oznaczone *