Pojęcie memrystor jest połączeniem angielskiego słowa „memory”, czyli pamięć, oraz „resistor”, co tłumaczy się jako opornik. Memrystor jest specjalnie zbudowanym elementem elektrycznym. Opór elektryczny memrystora nie jest stały, lecz zależy od liczby ładunków oraz kierunków, w których one płyną. W roku 2008 zespół badawczy firmy Hewlett-Packard po raz pierwszy stworzył prosty memrystor, składający się cienkiej warstwy dwutlenku tytanu znajdującej się pomiędzy dwiema platynowymi elektrodami, i który wykazuje się bardzo dobrymi zdolnościami przewodzenia prądu.