Magneto-resistive Random Access Memory, czyli w skrócie MRAM, jest to technika nieulotnego zapisu informacji, która została opracowana w latach. 90. ubiegłego wieku. Informacje w MRAM zapisywane są nie przy użyciu impulsów elektrycznych, jak w innych technikach, ale dzięki wykorzystaniu namagnetyzowanych elementów, które są gotowe do użycia tuż po włączeniu komputera. Zapisane w ten sposób dane nie muszą być ładowane, co skraca czas dostępu. Magneto-resistive Random Access Memory wykorzystuje różne mechanizmy, takie jak na przykład zjawisko Gaussa (magnetoopór) czy inne.