ReRam, czyli Resistive Random Access Memory jest to rodzaj chipu nieulotnej pamięci RAM, który funkcjonuje także bez dopływu prądu. Komórki pamięci ReRAM, w których można zapisać do jednego bita danych, składają się z nieprzewodzącego tlenku (najczęściej używany jest ditelenek krzemu lub hafnu), w którym umieszczone są sztuczne memrystory. Zmiana oporu elektrycznego w opornikach wykorzystywana jest do zapisywania danych. Wartości rezystancji reprezentują dwa możliwe stany pamięci: logiczne 0 lub logiczne 1 (dla jednego bita informacji).